한국나노기술원(원장 이윤덕)은 초고속 통신에 사용되는 시스템 반도체 소재 국산화를 추진한다고 지난 27일 밝혔다.

한국나노기술원은 경기도의 지원으로 오는 2022년까지 총 30억원의 ‘시스템 반도체 국산화 연구지원 사업’을 추진할 계획이라고 밝혔다.

이번 사업을 통해 도는 초고속통신에 사용되는 인듐갈륨비소(InGaAs) 에피웨이퍼와 이를 이용한 초고속 통신소자(HEMT)를 개발할 계획이다.

인듐갈륨비소(InGaAs) 에피웨이퍼는 갈륨비소, 실리콘웨이퍼 등 물질의 표면에 별도화합물 반도체층을 성장시킨 것으로, 현재 사용되는 실리콘 웨이퍼 보다 다양한 기능과 성능을 구현할 수 있는 시스템 반도체 소재다.

5G, IoT, 자율차 등 4차 산업혁명 실현을 위한 핵심부품을 제작하는데 사용되고 있는 만큼 수요가 갈수록 증가할 것으로 예상되고 있으나 높은 개발비용과 연구인력, 인프라 등이 요구돼 중소기업 차원의 개발이 어려워 미국, 일본 등 해외로부터 수입해 사용하고 있다.

한국나노기술원은 향후 3년간 개발비 지원을 통해 인듐갈륨비소(InGaAs) 에피웨이퍼 및 초고속통신소자(HEMT)를 국산화하여 도내 중소기업과 대학, 연구소 등에 제공하도록 한다는 계획이다.

이와 함께 해당 기술의 기술이전 등을 통해 도내 중소기업의 매출증가도 도모해 나갈 방침이다.

이윤덕 원장은 “이번 경기도 지원의 시스템 반도체 국산화 연구지원 사업을 통해 시스템 반도체 소재 독립을 촉진하고 중소기업의 매출도 크게 증가할 것으로 기대된다” 라며 “향후 지속적인 연구개발로 해외의존도가 높은 소재 부품의 국산화 연구 사업 발굴에 박차를 가하겠다”라고 말했다.